采用基于密度泛函理论的第一性原理方法计算了体相和1-10层3R-MoS2的几何结构和电子结构。计算获得了体相3R-MoS2的几何结构参数,与实验值相一致,表明了计算方法和参数设置的可靠性。随后,分别计算了1-10层3R-MoS2的几何结构和电子性质。可以看到,优化后的结构参数c随层数增加而线性增加;计算得到的带隙值随着层数的增加而呈现出减小趋势,并趋于稳定值。 作用于原子上的力小于001eV/，内应力小于002GPa。2结果与讨论体相3R-MoS2是层状材料，呈现三明治式结构，具体表现为一层Mo原子被两层S原子夹在中间，如图1所示。计算得到三方MoS2的晶格参数为a=31510和c=187524， 本文由公司网站网站采  转摘采集转载中国知网整理!  http://www.kuoguanji168.com/变化的理论研究-数控滚圆机滚弧机折弯机张家港电动液压滚弧机数控滚弧机与已报道的实验（a=315和c=1830）和理论值相一致[11-13]，表明计算方法的可靠性。随后，分别建立了1～10层的MoS2表面模型（1×1）。通过结构优化，得到了参数c随层数变化如图2所示（其中参数c包括了真空层厚度15）。可以看到，c随着层数的增加线性增加。图1体相3R-MoS2的结构图2结构优化后参数c随层数n的变化计算得到三方MoS2体相和单层的能带如图3所示。可以看到，体相的带隙值为1403eV，与文献报道值133eV[12]和1416eV[13]相一致。同时，计算得到单层MoS2的带隙值为2263eV，大于其体相带隙值。而采用4×4超胞模型获MoS2薄膜电子性质随层数变化的理论研究张恬1，岳芳1，林燕菁1，周倩1，史芹凡1，魏云1（通讯作者），樊代和1，刘其军1，刘正堂2（1.西南交通大学物理科学与技术学院，四川成都，610031；2.西北工业大学材料学院，陕西西安，710072）基金项目：2018年四川省大学生创新创业训练计划项目（2018115）；中国高教学会理科教育专业委员会高等理科教育研究课题；西南交通大学十七期重点实验室开放项目（GD201817068）；西南交通大学2019年度校级本科教育教学研究与改革项目。摘要：本文采用基于密度泛函理论的第一性原理方法计算了体相和1-10层3R-MoS2的几何结构和电子结构。计算获得了体相3R-MoS2的几何结构参数变化的理论研究-数控滚圆机滚弧机折弯机张家港电动液压滚弧机数控滚弧机 本文由公司网站网站采  转摘采集转载中国知网整理!  http://www.kuoguanji168.com/